收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STP12NM50
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STP12NM50

STMicroelectronics TO-220-3 999
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 500V 12A TO-220
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与STP12NM50相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STP12NM50FD STMicroelectronics TO-220-3 MOSFET N-CH 500V 12A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP12NM50FP STMicroelectronics TO-220-3 整包 1146 MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP12NM50N STMicroelectronics TO-220-3 MOSFET N-CH 500V 11A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP12NK80Z STMicroelectronics TO-220-3 779 MOSFET N-CH 800V 10.5A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP12NK60Z STMicroelectronics TO-220-3 5 MOSFET N-CH 600V 10A TO220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STP12NK30Z STMicroelectronics TO-220-3 1004 MOSFET N-CH 300V 9A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

STP12NM50参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):500V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):12A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):350 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):39nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1000pF @ 25V
功率 - 最大值:160W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别