收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STN4NF20L
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STN4NF20L

STMicroelectronics TO-261-4,TO-261AA 4000
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223
参考包装数量:4000
参考包装形式:带卷 (TR)

与STN4NF20L相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STN5PF02V STMicroelectronics TO-261-4,TO-261AA MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT223 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STN690A STMicroelectronics TO-261-4,TO-261AA 4000 TRANS NPN 30V 3A SOT223 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):3A 电压 - 集电极发...
STN715 STMicroelectronics TO-261-4,TO-261AA 1628 TRANSISTOR NPN 80V 1.5A SOT-223 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1.5A 电压 - 集电...
STN4NF06L STMicroelectronics TO-261-4,TO-261AA 8000 MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STN4NF03L STMicroelectronics TO-261-4,TO-261AA 7868 MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT223 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STN3PF06 STMicroelectronics TO-261-4,TO-261AA 20000 MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT223 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

STN4NF20L参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):1A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.5 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):0.9nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):150pF @ 25V
功率 - 最大值:3.3W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别