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STN3NF06

STMicroelectronics TO-261-4,TO-261AA 36000
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简述:MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223
参考包装数量:4000
参考包装形式:带卷 (TR)

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STN3NF06参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):4A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):100 毫欧 @ 1.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):13nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):315pF @ 25V
功率 - 最大值:3.3W
安装类型:表面贴装

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