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STN1NK80Z

STMicroelectronics TO-261-4,TO-261AA 20000
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简述:MOSFET N-CH 800V 250MA SOT223
参考包装数量:4000
参考包装形式:带卷 (TR)

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STN1NK80Z参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):800V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):250mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):16 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):7.7nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):160pF @ 25V
功率 - 最大值:2.5W
安装类型:表面贴装

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