收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STL3NM60N
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STL3NM60N

STMicroelectronics 8-PowerVDFN
询价QQ:
简述:MOSFET N CH 600V 2.2A POWERFLAT
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与STL3NM60N相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STL40DN3LLH5 STMicroelectronics 8-PowerVDFN MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERFLAT56 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...
STL-450-3-01 Richco Plastic Co TWIST LOK STANDOFF 3/16 X 1.09" ...
STL-450-8-01 Richco Plastic Co TWIST LOK STANDOFF 1/2 X 1.09" ...
STL-3-750-8-01 Richco Plastic Co TWIST LOK STANDOFF 1/2 X 1.45" ...
STL-3-750-3-01 Richco Plastic Co TWIST LOK STANDOFF 3/16 X 1.45" ...
STL-3-600-8-01 Richco Plastic Co TWIST LOK STANDOFF 1/2 X 1.28" ...

STL3NM60N参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):2.2A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.8 欧姆 @ 1A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):9.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):188pF @ 50V
功率 - 最大值:22W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别