收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STL18NM60N
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STL18NM60N

STMicroelectronics 5-PowerVDFN
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与STL18NM60N相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STL20NM20N STMicroelectronics 8-PowerVDFN MOSFET N-CH 200V 20A PWRFLAT6X5 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STL21N65M5 STMicroelectronics 5-PowerFlat? HV 3000 MOSFET N-CH 650V 17A POWERFLAT88 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STL23NM60ND STMicroelectronics 5-PowerFlat? HV 3000 MOSFET N-CH 600V 19.5A POWERFLAT FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STL18N55M5 STMicroelectronics 5-PowerFlat? HV MOSFET N-CH 550V 2.4A POWERFLAT FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STL17N3LLH6 STMicroelectronics 8-PowerVDFN MOSFET N-CH 30V 17A POWERFLAT FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STL-1-750-8-01 Richco Plastic Co TWIST LOK STANDOFF 1/2 X 1.45" ...

STL18NM60N参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):12A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):310 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):35nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1000pF @ 50V
功率 - 最大值:110W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别