收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STL150N3LLH5
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STL150N3LLH5

STMicroelectronics 8-PowerVDFN 518
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V 35A POWERFLAT6X5
参考包装数量:1
参考包装形式:剪切带 (CT)

与STL150N3LLH5相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STL150N3LLH6 STMicroelectronics 8-PowerVDFN MOSFET NCH 30V 150A POWERFLAT5X6 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STL15DN4F5 STMicroelectronics 8-PowerVDFN 3000 MOSFET N-CH 40V 15A POWERFLAT FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
STL15N3LLH5 STMicroelectronics 8-PowerVDFN MOSFET N-CH 30V 15A POWERFLAT FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STL-1-450-8-01 Richco Plastic Co TWIST LOK STANDOFF 1/2 X 1.09" ...
STL-1-450-3-01 Richco Plastic Co TWIST LOK STANDOFF 3/16 X 1.09" ...
STL140N4LLF5 STMicroelectronics 8-PowerVDFN MOSFET N-CH 40V 140A PWRFLAT5X6 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

STL150N3LLH5参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):94A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.75 毫欧 @ 17.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):40nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):5800pF @ 25V
功率 - 最大值:4W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别