收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STL100N6LF6
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STL100N6LF6

STMicroelectronics 8-PowerVDFN
询价QQ:
简述:MOSFET N CH 60V 100A PWRFLAT 5X6
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与STL100N6LF6相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STL100NH3LL STMicroelectronics 8-PowerVDFN MOSFET N-CH 30V 100A PWRFLAT6X5 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STL106D STMicroelectronics TO-226-3、TO-92-3 标准主体 TRANSISTOR NPN FAST 230V TO-92 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1.5A 电压 - 集电...
STL10N3LLH5 STMicroelectronics 8-PowerVDFN MOSFET N-CH 30V 9A POWERFLAT FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STL100N1VH5 STMicroelectronics 8-PowerVDFN MOSFET N-CH 12V 100A POWERFLAT56 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STKYE C&K Components CAP USE W/ SERU AU OA BRN ...
STKWH C&K Components CAP USE W/ SERU AU OA BRN ...

STL100N6LF6参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):100A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):4.5 毫欧 @ 11A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):130nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):8900pF @ 25V
功率 - 最大值:80W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别