收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STH270N4F3-6
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STH270N4F3-6

STMicroelectronics TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片)
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6
参考包装数量:1000
参考包装形式:带卷 (TR)

与STH270N4F3-6相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STH300NH02L-6 STMicroelectronics TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片) MOSFET N-CH 24V 180A H2PAK-6 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STHDLS101QTR STMicroelectronics 48-QFN 2500 IC LEVEL SHIFTER HDMI 48-QFN 功能:* 电路:* 导通状态电阻:* 电压电源:* 电压 - 电源,单路/双路(...
STHDLS101TQTR STMicroelectronics 48-QFN 2500 IC HDMI LEVEL SHIFTER AC 48-QFN 功能:* 电路:* 导通状态电阻:* 电压电源:* 电压 - 电源,单路/双路(...
STH260N6F6-2 STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STH250N6F3-6 STMicroelectronics MOSFET N-CH 60V 250A H2PAK ...
STH250N55F3-6 STMicroelectronics TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片) MOSFET N-CH 55V 180A H2PAK-6 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

STH270N4F3-6参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):180A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.7 毫欧 @ 80A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):150nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):7400pF @ 25V
功率 - 最大值:300W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别