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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STH180N10F3-6
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STH180N10F3-6

STMicroelectronics TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片) 闂傚倸鍊烽悞锕€顪冮崹顕呯唵闁逞屽墰缁辨帡骞撻幒婵堝悑闂佽鍨悞锔剧矉閹烘柡鍋撻敐搴′簼婵炲懏鐗犲铏规崉閵娿儲鐝㈤梺鐟板殩閹凤拷0755-83217923
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简述:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK
参考包装数量:1000
参考包装形式:带卷 (TR)

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STH180N10F3-6参数资料

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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):180A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):4.5 毫欧 @ 60A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):114.6nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):6665pF @ 25V
功率 - 最大值:315W
安装类型:表面贴装

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