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STG3P2M10N60B

STMicroelectronics SEMITOP?2 7
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简述:IGBT N-CHAN 600V 19A SEMITOP2
参考包装数量:15
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与STG3P2M10N60B相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STG4158BJR STMicroelectronics 6-WFBGA,FCBGA IC SWITCH SPDT 6FLIPCHIP 功能:开关 电路:1 x SPDT 导通状态电阻:2 欧姆 电压电源:单电源 电...
STG4159BJR STMicroelectronics 7-WFBGA,FCBGA IC SWITCH SPDT 7CLIPCHIP 功能:开关 电路:1 x SPDT 导通状态电阻:300 毫欧 电压电源:双电源...
STG4160BJR STMicroelectronics 8-UFBGA,FCBGA 4885 IC SWITCH SGL SPDT 2:1 8FLIPCHIP 功能:开关 电路:1 x SPDT 导通状态电阻:500 毫欧 电压电源:单电源...
STG3856QTR STMicroelectronics 12-UFQFN 5544 IC SWITCH DUAL SP3T 12QFN 功能:开关 电路:2 x SP3T 导通状态电阻:1 欧姆 电压电源:单电源 电...
STG3820BJR STMicroelectronics 30-WFBGA,FCBGA IC SWITCH QUAD DPDT 30FLIPCHIP 功能:开关 电路:4 x DPDT 导通状态电阻:7.3 欧姆 电压电源:单电源...
STG3699QTR STMicroelectronics 16-QFN IC SWITCH QUAD SPDT 16QFN 功能:开关 电路:4 x SPDT 导通状态电阻:45 毫欧 电压电源:单电源 ...

STG3P2M10N60B参数资料

PDF资料下载:

IGBT 类型:-
配置:三相反相器
电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
Vge, Ic时的最大Vce(开):2.5V @ 15V,7A
电流 - 集电极 (Ic)(最大):19A
电流 - 集电极截止(最大):10µA
Vce 时的输入电容 (Cies):0.72nF @ 25V
功率 - 最大:56W
输入:单相桥式整流器
NTC 热敏电阻:无
安装类型:底座安装

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