收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STFI13N95K3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STFI13N95K3

STMicroelectronics I²Pak 全封装 300
询价QQ:
简述:MOSFET N CH 950V 10A I2PAKFP
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与STFI13N95K3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STFI13NK60Z STMicroelectronics I²Pak 全封装 1400 MOSFET N-CH 600V 13A I2PAK FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STFI13NM60N STMicroelectronics I²Pak 全封装 1495 MOSFET N-CH 650V 11A I2PAK FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STFI15N65M5 STMicroelectronics I²Pak 全封装 MOSFET N CH 650V 11A I2PAKFP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STFI11NM65N STMicroelectronics * MOSFET N CH 650V 11A I2PAKFP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STFI10NK60Z STMicroelectronics I²Pak 全封装 1491 MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STFI10N62K3 STMicroelectronics I²Pak 全封装 1500 MOSFET N CH 620V 8.4A I2PAKFP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

STFI13N95K3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):950V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):10A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):850 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):51nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1620pF @ 100V
功率 - 最大值:40W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别