收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STF4NK50ZD
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STF4NK50ZD

STMicroelectronics TO-220-3 整包
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 500V 3A TO-220FP
参考包装数量:1000
参考包装形式:管件

与STF4NK50ZD相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STF57N65M5 STMicroelectronics TO-220-3 整包 841 MOSFET N-CH 650V 42A TO-220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STF5N52K3 STMicroelectronics TO-220-3 整包 979 MOSFET N-CH 525V 4.4A TO-220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STF5N52U STMicroelectronics TO-220-3 整包 670 MOSFET N-CH 525V 4.4A TO-220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STF4N62K3 STMicroelectronics TO-220-3 整包 1990 MOSFET N-CH 620V 3.8A TO-220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STF4N52K3 STMicroelectronics TO-220-3 整包 1996 MOSFET N-CH 525V 2.5A TO-220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STF45N65M5 STMicroelectronics TO-220-3 整包 923 MOSF N CH 650V 35A TO220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

STF4NK50ZD参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):500V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):2.7 欧姆 @ 1.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):12nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):310pF @ 25V
功率 - 最大值:20W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别