收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STF3LN62K3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STF3LN62K3

STMicroelectronics TO-220-3 整包 1990
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 620V 2.5A TO-220FP
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与STF3LN62K3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STF3N62K3 STMicroelectronics TO-220-3 整包 998 MOSFET N-CH 620V 2.7A TO-220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STF3NK100Z STMicroelectronics TO-220-3 整包 682 MOSFET N-CH 1000V 2.5A TO-220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STF3NK80Z STMicroelectronics TO-220-3 整包 1945 MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STF3HNK90Z STMicroelectronics TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 800V 3A TO220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STF38N65M5 STMicroelectronics TO-220-3 整包 979 MOSFET N-CH 650V 30A TO-220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STF35N65M5 STMicroelectronics TO-220-3 整包 819 MOSFET N-CH 650V 27A TO-220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

STF3LN62K3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):620V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):2.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):3 欧姆 @ 1.25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):17nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):386pF @ 50V
功率 - 最大值:20W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别