收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STF21N65M5
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STF21N65M5

STMicroelectronics TO-220-3 整包 977
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 650V 17A TO-220FP
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与STF21N65M5相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STF21N90K5 STMicroelectronics TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 900V 18.5A TO-220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STF21NM50N STMicroelectronics TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 500V 18A TO220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STF21NM60N STMicroelectronics TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 600V 17A TO-220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STF20NM65N STMicroelectronics TO-220-3 整包 925 MOSFET N-CH 650V 15A TO-220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STF20NK50Z STMicroelectronics TO-220-3 整包 1000 MOSFET N-CH 500V 17A TO-220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STF20NF20 STMicroelectronics TO-220-3 整包 955 MOSFET N-CH 200V 18A TO-220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

STF21N65M5参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):650V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):17A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):190 毫欧 @ 8.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):50nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1950pF @ 100V
功率 - 最大值:30W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别