收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STF16N50U
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STF16N50U

STMicroelectronics TO-220-3 整包
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 500V 15A TO-220FP
参考包装数量:1000
参考包装形式:管件

与STF16N50U相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STF16N65M5 STMicroelectronics TO-220-3 整包 7 MOSFET N-CH 650V 12A TO-220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STF16NF25 STMicroelectronics TO-220-3 整包 915 MOSFET N-CH 250V 14A TO-220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STF16NK60Z STMicroelectronics TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 600V 14A TO-220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STF15NM65N STMicroelectronics TO-220-3 整包 954 MOSFET N-CH 650V 12A TO-220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STF15NM60ND STMicroelectronics TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 600V 14A TO-220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STF15NM60N STMicroelectronics TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 600V 14A TO-220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

STF16N50U参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):500V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):15A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):520 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):40nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1950pF @ 25V
功率 - 最大值:30W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别