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STE26NA90

STMicroelectronics ISOTOP
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简述:MOSFET N-CH 900V 26A ISOTOP
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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STE26NA90参数资料

PDF资料下载:

FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):900V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:26A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:300 毫欧 @ 13A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):3.75V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:660nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:1770pF @ 25V
功率 - 最大:450W
安装类型:底座安装

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