收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > 晶体管(BJT) - 单路 > STD888T4
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STD888T4

STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 12500
询价QQ:
简述:TRANSISTOR 30V 5A DPAK
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与STD888T4相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STD8N65M5 STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 2500 MOSFET N-CH 650V 7A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STD8NF25 STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 250V 8A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STD8NM50N STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 5000 MOSFET N-CH 500V 5A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STD878T4 STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 TRANS BIPO NPN 30V 5A DPAK 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):5A 电压 - 集电极发...
STD86N3LH5 STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 5000 MOSFET N-CH 30V 80A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STD85N3LH5 STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 5000 MOSFET N-CH 30V 80A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

STD888T4参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大):5A
电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):1.2V @ 500mA,10A
电流 - 集电极截止(最大):-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):100 @ 500mA,1V
功率 - 最大:15W
频率 - 转换:-
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别