收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STD5NM60-1
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STD5NM60-1

STMicroelectronics TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB 2105
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 600V 5A IPAK
参考包装数量:75
参考包装形式:管件

与STD5NM60-1相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STD5NM60T4 STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 12500 MOSFET N-CH 600V 5A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STD6 Cooper Bussmann 圆柱形,扁平端子(螺栓) FUSE INDUST 6A 240V BS IEC 保险丝类型:慢速熔断,时滞型 电压 - 额定:240VAC 电流:6A...
STD60N3LH5 STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 4827 MOSFET N-CH 30V 48A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STD5NM50T4 STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 500V 7.5A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STD5NK60ZT4 STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 5000 MOSFET N-CH 600V 5A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STD5NK52ZD-1 STMicroelectronics TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB MOSFET N-CH 520V 4.4A I-PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

STD5NM60-1参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1 欧姆 @ 2.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):18nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):400pF @ 25V
功率 - 最大值:96W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别