收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STD40NF03LT4
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STD40NF03LT4

STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V 40A DPAK
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与STD40NF03LT4相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STD40NF10 STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 2500 MOSFET N-CH 100V 50A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STD40NF3LLT4 STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 30V 40A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STD44N4LF6 STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 40V 44A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STD40N2LH5 STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 2500 MOSFET N-CH 25V 40A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STD4 Cooper Bussmann 圆柱形,扁平端子(螺栓) FUSE INDUST 4A 240V BS IEC 保险丝类型:慢速熔断,时滞型 电压 - 额定:240VAC 电流:4A...
STD3PK50Z STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 3092 MOSFET P-CH 500V 2.8A DPAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

STD40NF03LT4参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):40A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):11 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):30nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1440pF @ 25V
功率 - 最大值:80W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别