收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STD3NM60-1
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STD3NM60-1

STMicroelectronics TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 600V 3A IPAK
参考包装数量:75
参考包装形式:管件

与STD3NM60-1相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STD3NM60N STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 600V 3.3A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STD3NM60T4 STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 600V 3A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STD3PK50Z STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 3092 MOSFET P-CH 500V 2.8A DPAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STD3NM50T4 STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 550V 3A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STD3NK90ZT4 STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 900V 3A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STD3NK80ZT4 STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 20000 MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

STD3NM60-1参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.5 欧姆 @ 1.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):14nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):324pF @ 25V
功率 - 最大值:42W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别