收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STD3NK60ZD
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STD3NK60ZD

STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 2500
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与STD3NK60ZD相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STD3NK60ZT4 STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 2500 MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STD3NK80Z-1 STMicroelectronics TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB 817 MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STD3NK80ZT4 STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 20000 MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STD3NK60Z-1 STMicroelectronics TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STD3NK50ZT4 STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 5000 MOSFET N-CH 500V 2.3A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STD3NK50Z-1 STMicroelectronics TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB MOSFET N-CH 500V 2.3A IPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

STD3NK60ZD参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):2.4A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):3.6 欧姆 @ 1.2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):11.8nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):311pF @ 25V
功率 - 最大值:45W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别