收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STD2NK90ZT4
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STD2NK90ZT4

STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 7500
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 900V 2.1A DPAK
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与STD2NK90ZT4相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STD2NM60T4 STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 600V 2A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STD30NE06L STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 60V 30A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STD30NE06LT4 STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 60V 30A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STD2NK90Z-1 STMicroelectronics TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB 1745 MOSFET N-CH 900V 2.1A IPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STD2NK70ZT4 STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 700V 1.6A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STD2NK70Z-1 STMicroelectronics TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB 2563 MOSFET N-CH 700V 1.6A IPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

STD2NK90ZT4参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):900V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):2.1A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):6.5 欧姆 @ 1.05A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):27nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):485pF @ 25V
功率 - 最大值:70W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别