| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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STD1NK80Z-1 |
STMicroelectronics | TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 800V 1A IPAK 参考包装数量：75 参考包装形式：管件 |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| STD1NK80ZT4 | STMicroelectronics | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 32500 | MOSFET N-CH 800V 1A DPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| STD2 | Cooper Bussmann | 圆柱形，扁平端子（螺栓） | FUSE INDUST 2A 240V BS IEC | 保险丝类型：慢速熔断，时滞型 电压 - 额定：240VAC 电流：2A... | |
| STD20 | Cooper Bussmann | 圆柱形，扁平端子（螺栓） | FUSE INDUST 20A 240V BS IEC | 保险丝类型：慢速熔断，时滞型 电压 - 额定：240VAC 电流：20A... | |
| STD1NK60T4 | STMicroelectronics | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 35000 | MOSFET N-CH 600V 1A DPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| STD1NK60-1 | STMicroelectronics | TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB | 1272 | MOSFET N-CH 600V 1A IPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| STD1HNC60T4 | STMicroelectronics | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 600V 2A DPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
