收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STD18NF03L
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STD18NF03L

STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 2500
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V 17A DPAK
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与STD18NF03L相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STD18NF25 STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 2500 MOSFET N-CH 250V 17A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STD1HNC60T4 STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 600V 2A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STD1NK60-1 STMicroelectronics TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB 1272 MOSFET N-CH 600V 1A IPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STD18N65M5 STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 650V 15A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STD18N55M5 STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 5000 MOSFET N-CH 550V 13A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STD1805T4 STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 TRANSISTOR NPN 60V 5A DPAK 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):5A 电压 - 集电极发...

STD18NF03L参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):17A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):50 毫欧 @ 8.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):6.5nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):320pF @ 25V
功率 - 最大值:30W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别