收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STD11NM60N-1
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STD11NM60N-1

STMicroelectronics TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 600V 10A I-PAK
参考包装数量:75
参考包装形式:管件

与STD11NM60N-1相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STD11NM60ND STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 2500 MOSFET N-CH 600V 10A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STD11NM65N STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N CH 650V 11A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STD120N4F6 STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 40V 80A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STD11NM60N STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 600V 10A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STD11NM50N STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 5000 MOSFET N-CH 500V 9A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STD11N65M5 STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N CH 650V 9A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

STD11NM60N-1参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):10A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):450 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):31nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):850pF @ 50V
功率 - 最大值:90W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别