收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STD100NH02LT4
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STD100NH02LT4

STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 7500
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 24V 60A DPAK
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与STD100NH02LT4相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STD100NH03LT4 STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 30V 60A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STD10NF10T4 STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 30000 MOSFET N-CH 100V 13A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STD10NM50N STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 1149 MOSFET N-CH 500V 7A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STD100N3LF3 STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 30V 80A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STD100N03LT4 STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 30V 80A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STD10 Cooper Bussmann 圆柱形,扁平端子(螺栓) FUSE INDUST 10A 240V BS IEC 保险丝类型:慢速熔断,时滞型 电压 - 额定:240VAC 电流:10A...

STD100NH02LT4参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):24V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):60A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):4.8 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):84nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3940pF @ 15V
功率 - 最大值:100W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别