收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STB9NK70Z-1
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STB9NK70Z-1

STMicroelectronics TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 700V 7.5A I2PAK
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与STB9NK70Z-1相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STB9NK70ZT4 STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 700V 7.5A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STB9NK90Z STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 2000 MOSFET N-CH 900V 8A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STBB1-APUR STMicroelectronics 10-VFDFN 裸露焊盘 3000 IC REG BUCK BST SYNC ADJ 10VDFPN 类型:降压(降压),升压(升压) 输出类型:可调式 输出数:1 输出电压:1.2...
STB9NK60ZT4 STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STB9NK60ZDT4 STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 7000 MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STB9NK50ZT4 STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 500V 7.2A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

STB9NK70Z-1参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):700V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):7.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.2 欧姆 @ 4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):68nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1370pF @ 25V
功率 - 最大值:115W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别