收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STB95N4F3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STB95N4F3

STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
询价QQ:
简述:MOSFET POWER N-CH 40V 80A
参考包装数量:1000
参考包装形式:带卷 (TR)

与STB95N4F3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STB9NK50ZT4 STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 500V 7.2A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STB9NK60ZDT4 STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 7000 MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STB9NK60ZT4 STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STB95N3LLH6 STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STB8NM60T4 STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 4787 MOSFET N-CH 650V 8A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STB8NM60N STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

STB95N4F3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):80A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):5.8 毫欧 @ 40A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):54nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2200pF @ 25V
功率 - 最大值:110W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别