收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STB6NK60ZT4
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STB6NK60ZT4

STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 600V 6A D2PAK
参考包装数量:1000
参考包装形式:带卷 (TR)

与STB6NK60ZT4相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STB6NK90ZT4 STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 3000 MOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STB6NM60N STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 600V 4.6A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STB70N10F4 STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STB6NK60Z-1 STMicroelectronics TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA 382 MOSFET N-CH 600V 6A I2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STB6N62K3 STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N CH 620V D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STB6N52K3 STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 525V 5A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

STB6NK60ZT4参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):6A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.2 欧姆 @ 3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):46nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):905pF @ 25V
功率 - 最大值:110W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别