收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STB50N25M5
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STB50N25M5

STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 2626
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 250V 28A D2PAK
参考包装数量:1
参考包装形式:剪切带 (CT)

与STB50N25M5相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STB50NE10T4 STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STB50NF25 STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 2000 MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STB55NF06LT4 STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 1000 MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STB4NK60ZT4 STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 12000 MOSFET N-CH 600V 4A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STB4NK60Z-1 STMicroelectronics TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA 998 MOSFET N-CH 600V 4A I2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STB4N62K3 STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 620V 3.8A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

STB50N25M5参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):250V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):28A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):65 毫欧 @ 14A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):44nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1700pF @ 50V
功率 - 最大值:110W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别