收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STB35NF10T4
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STB35NF10T4

STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 2000
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK
参考包装数量:1000
参考包装形式:带卷 (TR)

与STB35NF10T4相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STB36NF06LT4 STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 5000+2000 MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STB36NM60N STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 500 MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STB38N65M5 STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STB35N65M5 STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 650V 27A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STB34NM60ND STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STB34NM60N STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

STB35NF10T4参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):40A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):35 毫欧 @ 17.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):55nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1550pF @ 25V
功率 - 最大值:115W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别