收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STB30N65M5
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STB30N65M5

STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
参考包装数量:1
参考包装形式:剪切带 (CT)

与STB30N65M5相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STB30NF10T4 STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 2000 MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STB30NF20 STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 21000 MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STB30NF20L STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 1000 MOSFET N CH 200V 30A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STB300NH02L STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 24V 120A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STB2N62K3 STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 620V 2.2A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STB28NM50N STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 2000 MOSFET N-CH 500V 21A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

STB30N65M5参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):650V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):22A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):139 毫欧 @ 11A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):64nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2880pF @ 100V
功率 - 最大值:140W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别