| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
STB27NM60ND |
STMicroelectronics | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 询价QQ： |
||
| 简述：MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK 参考包装数量：1000 参考包装形式：带卷 (TR) |
|||||
| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| STB28NM50N | STMicroelectronics | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 2000 | MOSFET N-CH 500V 21A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| STB2N62K3 | STMicroelectronics | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 620V 2.2A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| STB300NH02L | STMicroelectronics | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 24V 120A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| STB270N4F3 | STMicroelectronics | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| STB26NM60N | STMicroelectronics | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 1000 | MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| STB25NM60ND | STMicroelectronics | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 1000 | MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
