收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STB25NM60N-1
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STB25NM60N-1

STMicroelectronics TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 600V 21A I2PAK
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与STB25NM60N-1相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STB25NM60ND STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 1000 MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STB26NM60N STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 1000 MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STB270N4F3 STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STB25NM60N STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STB25NM50N-1 STMicroelectronics TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA 239 MOSFET N-CH 500V 22A I2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STB25NM50N STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 500V 22A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

STB25NM60N-1参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):21A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):160 毫欧 @ 10.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):84nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2400pF @ 50V
功率 - 最大值:160W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别