收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STB23NM60N
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STB23NM60N

STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 600V 19A D2PAK
参考包装数量:1
参考包装形式:剪切带 (CT)

与STB23NM60N相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STB23NM60ND STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 2000 MOSFET N-CH 600V 19.5A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STB24NM60N STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STB24NM65N STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 2000 MOSFET N-CH 650V 19A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STB23NM50N STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 2000 MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STB230NH03L STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STB22NS25ZT4 STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 250V 22A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

STB23NM60N参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):19A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):180 毫欧 @ 9.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):60nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2050pF @ 50V
功率 - 最大值:150W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别