收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STB155N3LH6
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STB155N3LH6

STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 603
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
参考包装数量:50
参考包装形式:管件

与STB155N3LH6相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STB15N65M5 STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STB15NK50ZT4 STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 500V 14A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STB15NM60N STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 600V 14A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STB155N3H6 STMicroelectronics 1000 MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK ...
STB150NF55T4 STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 1000 MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STB150NF04 STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 1000 MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

STB155N3LH6参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):80A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):3 毫欧 @ 40A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):80nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3800pF @ 25V
功率 - 最大值:110W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别