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STB11NM80T4

STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 19058
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简述:MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK
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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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STB11NM80T4参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):800V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):11A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):400 毫欧 @ 5.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):43.6nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1630pF @ 25V
功率 - 最大值:150W
安装类型:表面贴装

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