收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STB100NH02LT4
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STB100NH02LT4

STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 24V 60A D2PAK
参考包装数量:1000
参考包装形式:带卷 (TR)

与STB100NH02LT4相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STB10NK60Z-1 STMicroelectronics TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STB10NK60ZT4 STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 4000 MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STB11N52K3 STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 525V 10A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STB100NF04T4 STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 3000 MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STB100NF03L-03T4 STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 7686+14000 MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STB100NF03L-03-1 STMicroelectronics TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 30V 100A I2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

STB100NH02LT4参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):24V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):60A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):6 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):64nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2850pF @ 15V
功率 - 最大值:100W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别