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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > STB100NH02LT4
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STB100NH02LT4

STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB 闂傚倸鍊搁崐鐑芥倿閿曗偓椤啴宕归鍛數闂侀€炲苯澧扮紒杈ㄥ浮楠炴捇骞掑┑鍫濇倯闂備浇顕栭崹顖炴倿閿斿墽鐭夐柟鐑樻煛閸嬫捇鏁愭惔鈥茬凹濠电偛鎳忛悧鐘差潖閾忚宕夐柕濞垮劜閻濄垽姊洪悷鏉挎闁瑰嚖鎷�0755-83217923
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简述:MOSFET N-CH 24V 60A D2PAK
参考包装数量:1000
参考包装形式:带卷 (TR)

与STB100NH02LT4相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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STB100NF03L-03-1 STMicroelectronics TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 30V 100A I2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

STB100NH02LT4参数资料

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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):24V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):60A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):6 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):64nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2850pF @ 15V
功率 - 最大值:100W
安装类型:表面贴装

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