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SSM6K202FE(TE85L,F

Toshiba SOT-563,SOT-666 4000
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简述:MOSFET N-CH SGL 30V 2.3A ES6
参考包装数量:4000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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SSM6K202FE(TE85L,F参数资料

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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):2.3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):85 毫欧 @ 1.5A,4V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):270pF @ 10V
功率 - 最大值:500mW
安装类型:表面贴装

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