收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > SSM5H12TU(TE85L,F)
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SSM5H12TU(TE85L,F)

Toshiba 6-SMD(5引线),扁引线 6000
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH/SCHOTTKY 30V UFV
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与SSM5H12TU(TE85L,F)相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SSM6J205FE(TE85L,F Toshiba SOT-563,SOT-666 MOSFET P-CH SGL 20V 0.8A ES6 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SSM6J206FE(TE85L,F Toshiba SOT-563,SOT-666 4000 MOSFET P-CH SGL 20V 2A ES6 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SSM6J207FE(TE85L,F Toshiba SOT-563,SOT-666 8000 MOSFET P-CH SGL 30V 1.4A ES6 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SSM5G10TU(TE85L,F) Toshiba 6-SMD(5引线),扁引线 3000 MOSFET P-CH 20V 1.5A UFV FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...
SSM4S-D Panduit Corp *STA-STRAP* MARKER ...
SSM4K27CT(TPL3) Toshiba 4-SMD,无引线 20000 MOSFET N-CH 20V .5A CST4 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

SSM5H12TU(TE85L,F)参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:二极管(隔离式)
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):1.9A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):133 毫欧 @ 1A,4V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):1.9nC @ 4V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):123pF @ 15V
功率 - 最大值:500mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别