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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > SSM3K316T(TE85L,F)
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SSM3K316T(TE85L,F)

Toshiba TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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简述:MOSFET N-CH 30V 4A TSM
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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SSM3K316T(TE85L,F)参数资料

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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):4A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):53 毫欧 @ 3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):4.3nC @ 4V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):270pF @ 10V
功率 - 最大值:700mW
安装类型:表面贴装

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