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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > SSM3K15CT(TPL3)
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SSM3K15CT(TPL3)

Toshiba SC-101,SOT-883 30000 闂傚倸鍊搁崐鎼佸磹閹间礁纾归柣鎴eГ閸婂潡鏌ㄩ弴妤€浜惧銈庝簻閸熸潙鐣疯ぐ鎺濇晪闁告侗鍨伴弫鎼佹⒒娓氣偓閳ь剛鍋涢懟顖涙櫠閹殿喚纾奸弶鍫涘妼濞搭喗顨ラ悙瀛樺磳妤犵偞甯掗埞鎴﹀醇濠靛洤鈧垶姊婚崒娆愮グ妞ゆ洘鐗犲畷褰掝敍閻愭潙鈧潡鏌ㄩ弬鍨挃闁活厼顦甸弻鐔兼倻濡崵鍘搁梺绋款儐閹瑰洭寮幇顓熷劅闁炽儴灏欓崙瑙勭節閻㈤潧浠滈柟鍐茬箻閹囨偐瀹割喗缍庨梺鎯х箺椤鐣锋径鎰厪濠电偛鐏濋崝婊堟煟濠靛嫬鐏叉慨濠冩そ閹兘寮堕幐搴敤闂備胶鎳撻崵鏍箯閿燂拷0755-83217923
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简述:MOSFET N-CH SGL 30V 0.1A CST3
参考包装数量:10000
参考包装形式:带卷 (TR)

与SSM3K15CT(TPL3)相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SSM3K15FS(T5L,F,T) Toshiba SC-75,SOT-416 12000 MOSFET N-CH SGL 30V 0.1A SSM FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SSM3K17SU,LF Toshiba SC-70,SOT-323 3000 MOSFET N-CH 50V 100MA USM FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SSM3K303T(TE85L,F) Toshiba TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH SGL 30V 2.9A TSM FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SSM3K15AMFV,L3F Toshiba SOT-723 8000 MOSFET N CH 30V 100MA U-MOS III FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SSM3K15AFS,LF Toshiba SC-75,SOT-416 3000 MOSFET N CH 30V 100MA 2-2H1B FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SSM3K15ACT(TPL3) Toshiba SC-101,SOT-883 20000 MOSFET N CH 30V 100MA 2-1J1B FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

SSM3K15CT(TPL3)参数资料

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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):100mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):4 欧姆 @ 10mA,4V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):7.8pF @ 3V
功率 - 最大值:100mW
安装类型:表面贴装

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