收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > SSM3J129TU(TE85L)
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SSM3J129TU(TE85L)

Toshiba 3-SMD,扁平引线 5487
询价QQ:
简述:MOSFET P-CH 20V 4.6A UFM
参考包装数量:1
参考包装形式:剪切带 (CT)

与SSM3J129TU(TE85L)相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SSM3J130TU(TE85L) Toshiba 3-SMD,扁平引线 12000 MOSFET P-CH 20V 4.4A UFM FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SSM3J307T(TE85L,F) Toshiba TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET P-CH 20V 5A TSM FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SSM3J317T(TE85L,F) Toshiba TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 6000 MOSFET P-CH 20V 3.6A TSM FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SSM3J120TU(T5L,T) Toshiba 3-SMD,扁平引线 6748 MOSFET P-CH 20V 4A UFM FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SSM3J117TU(TE85L) Toshiba 3-SMD,扁平引线 MOSFET P-CH 30V 2A UFM FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SSM3J115TU(TE85L) Toshiba 3-SMD,扁平引线 MOSFET P-CH 20V 2.2A UFM FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

SSM3J129TU(TE85L)参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):4.6A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):46 毫欧 @ 3A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):8.1nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):640pF @ 10V
功率 - 最大值:500mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别