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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > SSM3J112TU(TE85L)
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SSM3J112TU(TE85L)

Toshiba 3-SMD,扁平引线 闂傚倸鍊烽悞锕€顪冮崹顕呯唵闁逞屽墰缁辨帡骞撻幒婵堝悑闂佽鍨悞锔剧矉閹烘柡鍋撻敐搴′簼婵炲懏鐗犲铏规崉閵娿儲鐝㈤梺鐟板殩閹凤拷0755-83217923
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简述:MOSFET P-CH 30V 1.1A UFM
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与SSM3J112TU(TE85L)相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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SSM3302ACPZ-RL Analog Devices Inc 40-WFQFN 裸露焊盘,CSP IC AMP AUDIO 20W STER D 40LFCSP 类型:D 类 输出类型:2 通道(立体声) 在某负载时最大输出功率 x 通道数量...

SSM3J112TU(TE85L)参数资料

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FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):1.1A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):390 毫欧 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):86pF @ 15V
功率 - 最大值:500mW
安装类型:表面贴装

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