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SS1003EJ-TR

SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 4-UFDFN
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简述:DIODE SCHOTTKY 30V 1A ECSP1608-4
参考包装数量:1
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与SS1003EJ-TR相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SS100M016ST Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向,Can CAP ALUM 10UF 16V 20% RADIAL 电容:10µF 额定电压:16V 容差:±20% 寿命...
SS100M025ST Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向,Can CAP ALUM 10UF 25V 20% RADIAL 电容:10µF 额定电压:25V 容差:±20% 寿命...
SS100M035ST Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向,Can CAP ALUM 10UF 35V 20% RADIAL 电容:10µF 额定电压:35V 容差:±20% 寿命...
SS-10 Omron Electronics Inc-EMC Div 784 SW BASIC SPDT 10.1A 150GF SLD ...
SS075R103F050P1A E-Switch 185 SWITCH MIN SNAP ACT STR SPDT PCB ...
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SS1003EJ-TR参数资料

PDF资料下载:

电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):450mV @ 1A
电流 - 在 Vr 时反向漏电:360µA @ 15V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管):1A
电压 - (Vr)(最大):30V
反向恢复时间(trr):10ns
二极管类型:肖特基
速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
二极管配置:2 个独立式
安装类型:表面贴装

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