收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > SQD50N03-06P-GE3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SQD50N03-06P-GE3

Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH D-S 30V 50A TO252
参考包装数量:2000
参考包装形式:带卷 (TR)

与SQD50N03-06P-GE3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SQD50N03-09-GE3 Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH D-S 30V 50A TO252 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SQD50N04-09H-GE3 Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 3945 MOSFET N-CH D-S 40V 50A TO252 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SQD50N06-07L-GE3 Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 60V 50A TO252 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SQD50N02-04-GE3 Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH D-S 20V 50A TO252 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SQD45P03-12-GE3 Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET P-CH D-S 30V TO252 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SQD45N05-20L-GE3 Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 50V 50A TO252 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

SQD50N03-06P-GE3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):50A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):6 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):38nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4030pF @ 25V
功率 - 最大值:83W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别