收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > SQ4470EY-T1-GE3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SQ4470EY-T1-GE3

Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 60V 16A 8SOIC
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与SQ4470EY-T1-GE3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SQ4840EY-T1-GE3 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH D-S 40V 8SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SQ4850EY-T1-GE3 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH D-S 60V 8SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SQ48T10050-NBB0 Power-One 8-DIP 模块,1/4 砖 CONV DC-DC 48V IN 5V OUT 50W 类型:隔离 输出数:1 电压 - 输入(最小):36V 电压 - 输入(最大):...
SQ4431EY-T1-GE3 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH D-S 30V 8SOIC FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SQ4410EY-T1-GE3 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH D-S 30V 8SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SQ4401DY-T1-GE3 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 40V 15.8A 8SOIC FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

SQ4470EY-T1-GE3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):16A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):12 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):68nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3165pF @ 25V
功率 - 最大值:7.1W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别