收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > SPW52N50C3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SPW52N50C3

Infineon Technologies TO-247-3 1509
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 560V 52A TO-247
参考包装数量:240
参考包装形式:管件

与SPW52N50C3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SPX1117M3-L Exar Corporation TO-261-4,TO-261AA 665 IC REG LDO ADJ .8A SOT223-3 稳压器拓扑:正,可调式 电压 - 输出:1.25 V ~ 15 V 电压 - 输...
SPX1117M3-L-1-5 Exar Corporation TO-261-4,TO-261AA 2069 IC REG LDO 1.5V .8A SOT223-3 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 输出:1.5V 电压 - 输入:2.6 V ~...
SPX1117M3-L-1-8 Exar Corporation TO-261-4,TO-261AA 1026 IC REG LDO 1.8V .8A SOT223-3 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 输出:1.8V 电压 - 输入:最高 15V ...
SPW47N65C3 Infineon Technologies TO-247-3 MOSFET N-CH 650V 47A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SPW47N60CFD Infineon Technologies TO-247-3 2231 MOSFET N-CH 600V 46A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SPW47N60C3 Infineon Technologies TO-247-3 2501 MOSFET N-CH 650V 47A TO-247 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

SPW52N50C3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):560V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):52A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):70 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 2.7mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):290nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):6800pF @ 25V
功率 - 最大值:417W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别