型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SPW11N60S5 |
Infineon Technologies | TO-247-3 | 询价QQ: |
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简述:MOSFET N-CH 600V 11A TO-247 参考包装数量:240 参考包装形式:管件 |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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SPW11N80C3 | Infineon Technologies | TO-247-3 | 141 | MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
SPW12N50C3 | Infineon Technologies | TO-247-3 | MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-247 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
SPW15N60C3 | Infineon Technologies | TO-247-3 | MOSFET N-CH 650V 15A TO-247 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
SPW11N60CFD | Infineon Technologies | TO-247-3 | 240 | MOSFET N-CH 650V 11A TO-247 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
SPW11N60C3 | Infineon Technologies | TO-247-3 | 615 | MOSFET N-CH 650V 11A TO-247 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
SPW07N60CFD | Infineon Technologies | TO-247-3 | MOSFET N-CH 650V 6.6A TO-247 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |